Menu
Your Cart

IXBT16N170AHV; Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV; IXYS

IXBT16N170AHV; Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV; IXYS
IXBT16N170AHV; Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268HV; IXYS
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 07.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 18

  • SKU: A375237
  • Zīmols: IXYS
  • Modelis: IXBT16N170AHV
  • Svars: 3.88g
20,12€
Bez PVN: 16,63€
2 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 17,67€
4 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 16,71€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 16,07€
1
Ražotājs IXYS
Iepakojuma veids tube
Ieslēgšanās laiks 43ns
Impulsa kolektora strāva 40A
Izslēgšanas laiks 370ns
Jaudas izkliede 150W
Kolektora strāva 10A
Kolektora-izstarotāja spriegums 1.7kV
Korpuss TO268HV
Montāža SMD
Pusvadītāju ierīču iezīmes high voltage
Tehnoloģija BiMOSFET™
Transistora tips IGBT
Vārtu maksa 65nC
Vārtu-izstarotāju spriegums ±20V
Atslēgvārdi: IXBT16N170AHV