Menu
Your Cart

IXBT10N170; Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO268; IXYS

IXBT10N170; Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO268; IXYS
IXBT10N170; Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO268; IXYS
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 07.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 27

  • SKU: A375234
  • Zīmols: IXYS
  • Modelis: IXBT10N170
  • Svars: 4.00g
12,07€
Bez PVN: 9,98€
2 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 11,92€
3 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 10,85€
1
Ražotājs IXYS
Iepakojuma veids tube
Ieslēgšanās laiks 63ns
Impulsa kolektora strāva 40A
Izslēgšanas laiks 1.8µs
Jaudas izkliede 140W
Kolektora strāva 10A
Kolektora-izstarotāja spriegums 1.7kV
Korpuss TO268
Montāža SMD
Pusvadītāju ierīču iezīmes high voltage
Tehnoloģija BiMOSFET™
Transistora tips IGBT
Vārtu maksa 30nC
Vārtu-izstarotāju spriegums ±20V
Atslēgvārdi: IXBT10N170