Menu
Your Cart

IXBT2N250; Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268; IXYS

IXBT2N250; Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268; IXYS
IXBT2N250; Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO268; IXYS
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 07.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 1

  • SKU: A375239
  • Zīmols: IXYS
  • Modelis: IXBT2N250
  • Svars: 4.01g
25,69€
Bez PVN: 21,24€
3 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 24,29€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 24,06€
30 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 23,36€
1
Ražotājs IXYS
Iepakojuma veids tube
Ieslēgšanās laiks 310ns
Impulsa kolektora strāva 13A
Izslēgšanas laiks 252ns
Jaudas izkliede 32W
Kolektora strāva 2A
Kolektora-izstarotāja spriegums 2.5kV
Korpuss TO268
Montāža SMD
Pusvadītāju ierīču iezīmes high voltage
Tehnoloģija BiMOSFET™
Transistora tips IGBT
Vārtu maksa 10.6nC
Vārtu-izstarotāju spriegums ±20V
Atslēgvārdi: IXBT2N250