Menu
Your Cart

IXBT16N170A; Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268; IXYS

IXBT16N170A; Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268; IXYS
IXBT16N170A; Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268; IXYS
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 12.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 8

  • SKU: A375236
  • Zīmols: IXYS
  • Modelis: IXBT16N170A
  • Svars: 4.02g
20,39€
Bez PVN: 16,85€
2 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 17,67€
4 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 16,71€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 16,07€
1
Ražotājs IXYS
Iepakojuma veids tube
Ieslēgšanās laiks 43ns
Impulsa kolektora strāva 40A
Izslēgšanas laiks 370ns
Jaudas izkliede 150W
Kolektora strāva 10A
Kolektora-izstarotāja spriegums 1.7kV
Korpuss TO268
Montāža SMD
Pusvadītāju ierīču iezīmes high voltage
Tehnoloģija BiMOSFET™
Transistora tips IGBT
Vārtu maksa 65nC
Vārtu-izstarotāju spriegums ±20V
Atslēgvārdi: IXBT16N170A