Menu
Your Cart

IXBT24N170; Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268; IXYS

IXBT24N170; Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268; IXYS
IXBT24N170; Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268; IXYS
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 06.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 23

  • SKU: A375238
  • Zīmols: IXYS
  • Modelis: IXBT24N170
  • Svars: 4.08g
21,92€
Bez PVN: 18,12€
3 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 20,73€
30 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 20,19€
1
Ražotājs IXYS
Iepakojuma veids tube
Ieslēgšanās laiks 190ns
Impulsa kolektora strāva 230A
Izslēgšanas laiks 1285ns
Jaudas izkliede 250W
Kolektora strāva 24A
Kolektora-izstarotāja spriegums 1.7kV
Korpuss TO268
Montāža SMD
Pusvadītāju ierīču iezīmes high voltage
Tehnoloģija BiMOSFET™
Transistora tips IGBT
Vārtu maksa 140nC
Vārtu-izstarotāju spriegums ±20V
Atslēgvārdi: IXBT24N170