FDT86113LZ; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223; ON SEMICONDUCTOR
- Pieejamība: Pasūtīt uz 11.11.2025
- Piegādātāja noliktavā: 2016
- SKU: A338465
- Zīmols: ON SEMICONDUCTOR
- Modelis: FDT86113LZ
- Svars: 0.10g
1,58€
Bez PVN: 1,31€
5 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,14€
27 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,74€
27 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,74€
73 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,70€
73 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,70€
250 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,68€
250 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,68€
500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,67€
500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,67€
| 1 | |
| Ražotājs | ON SEMICONDUCTOR |
| Drenāžas avota spriegums | 100V |
| Drenāžas strāva | 3.3A |
| Jaudas izkliede | 2.2W |
| Kanāla veids | enhanced |
| Korpuss | SOT223 |
| Montāža | SMD |
| Polarizācija | unipolar |
| Transistora tips | N-MOSFET |
| Valsts pretestība | 189mΩ |
| Vārtu avota spriegums | ±20V |
Atslēgvārdi:
FDT86113LZ