Menu
Your Cart

FDT86113LZ; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223; ON SEMICONDUCTOR

FDT86113LZ; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223; ON SEMICONDUCTOR
FDT86113LZ; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223; ON SEMICONDUCTOR
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 11.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 2016

  • SKU: A338465
  • Zīmols: ON SEMICONDUCTOR
  • Modelis: FDT86113LZ
  • Svars: 0.10g
1,58€
Bez PVN: 1,31€
5 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,14€
27 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,74€
27 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,74€
73 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,70€
73 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,70€
250 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,68€
250 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,68€
500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,67€
500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,67€
1
Ražotājs ON SEMICONDUCTOR
Drenāžas avota spriegums 100V
Drenāžas strāva 3.3A
Jaudas izkliede 2.2W
Kanāla veids enhanced
Korpuss SOT223
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Transistora tips N-MOSFET
Valsts pretestība 189mΩ
Vārtu avota spriegums ±20V
Atslēgvārdi: FDT86113LZ