Menu
Your Cart

YJG80G06A; Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W; YANGJIE TECHNOLOGY

YJG80G06A; Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W; YANGJIE TECHNOLOGY
YJG80G06A; Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W; YANGJIE TECHNOLOGY
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 11.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 1975

  • SKU: A552424
  • Zīmols: YANGJIE TECHNOLOGY
  • Modelis: YJG80G06A
  • Svars: 0.10g
1,44€
Bez PVN: 1,19€
5 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,72€
25 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,64€
40 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,49€
108 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,47€
10000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,46€
1
Ražotājs YANGJIE TECHNOLOGY
Drenāžas avota spriegums 60V
Drenāžas strāva 50A
Iepakojuma veids tape
Impulsa notekas strāva 320A
Jaudas izkliede 38W
Kanāla veids enhanced
Korpuss DFN5060-8
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Tehnoloģija SPLIT GATE TRENCH
Transistora tips N-MOSFET
Valsts pretestība 5mΩ
Vārtu avota spriegums ±20V
Vārtu maksa 67nC
Atslēgvārdi: YJG80G06A-YAN