Menu
Your Cart

YJQ4666B; Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W; YANGJIE TECHNOLOGY

YJQ4666B; Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W; YANGJIE TECHNOLOGY
YJQ4666B; Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W; YANGJIE TECHNOLOGY
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 10.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 1500

  • SKU: A552451
  • Zīmols: YANGJIE TECHNOLOGY
  • Modelis: YJQ4666B
  • Svars: 1.00g
0,12€
Bez PVN: 0,10€
20 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,12€
100 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,09€
270 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,07€
730 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,07€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 20
1
Ražotājs YANGJIE TECHNOLOGY
Drenāžas avota spriegums -16V
Drenāžas strāva -5.6A
Iepakojuma veids tape
Impulsa notekas strāva -28A
Jaudas izkliede 2.2W
Kanāla veids enhanced
Korpuss DFN2020-6
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Tehnoloģija TRENCH POWER LV
Transistora tips P-MOSFET
Valsts pretestība 60mΩ
Vārtu avota spriegums ±10V
Vārtu maksa 7.2nC
Atslēgvārdi: YJQ4666B-YAN