Menu
Your Cart

YJD80G06A; Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W; YANGJIE TECHNOLOGY

YJD80G06A; Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W; YANGJIE TECHNOLOGY
YJD80G06A; Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W; YANGJIE TECHNOLOGY
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 11.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 1504

  • SKU: A552421
  • Zīmols: YANGJIE TECHNOLOGY
  • Modelis: YJD80G06A
  • Svars: 1.40g
0,45€
Bez PVN: 0,37€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 3
1
Ražotājs YANGJIE TECHNOLOGY
Drenāžas avota spriegums 60V
Drenāžas strāva 56A
Iepakojuma veids tape
Impulsa notekas strāva 240A
Jaudas izkliede 42.5W
Kanāla veids enhanced
Korpuss TO252
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Tehnoloģija SPLIT GATE TRENCH
Transistora tips N-MOSFET
Valsts pretestība 11mΩ
Vārtu avota spriegums ±20V
Vārtu maksa 31nC
Atslēgvārdi: YJD80G06A-YAN