Menu
Your Cart

SQ3427EV-T1_GE3; Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A; VISHAY; SQ3427EV-T1-GE3

SQ3427EV-T1_GE3; Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A; VISHAY; SQ3427EV-T1-GE3
SQ3427EV-T1_GE3; Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A; VISHAY; SQ3427EV-T1-GE3
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 21.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 1201

  • SKU: A122307
  • Zīmols: VISHAY
  • Modelis: SQ3427EV-T1_GE3
  • Svars: 0.04g
1,49€
Bez PVN: 1,23€
5 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,29€
25 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,94€
36 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,54€
99 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,51€
500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,50€
1000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,49€
1
Ražotājs VISHAY
Drenāžas avota spriegums -60V
Drenāžas strāva -5.3A
Iepakojuma veids reel, tape
Impulsa notekas strāva -21A
Jaudas izkliede 5W
Kanāla veids enhanced
Korpuss TSOP6
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Tehnoloģija TrenchFET®
Transistora tips P-MOSFET
Valsts pretestība 178mΩ
Vārtu maksa 22nC
Atslēgvārdi: SQ3427EV-T1-GE3