Menu
Your Cart

SQ2337ES-T1_GE3; Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.3A; 1W; SOT23; VISHAY

SQ2337ES-T1_GE3; Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.3A; 1W; SOT23; VISHAY
SQ2337ES-T1_GE3; Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.3A; 1W; SOT23; VISHAY
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 21.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 1666

  • SKU: A497430
  • Zīmols: VISHAY
  • Modelis: SQ2337ES-T1_GE3
  • Svars: 0.03g
1,14€
Bez PVN: 0,94€
5 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,58€
25 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,52€
42 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,42€
42 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,42€
113 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,40€
113 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,40€
1
Ražotājs VISHAY
Drenāžas avota spriegums -80V
Drenāžas strāva -1.3A
Iepakojuma veids tape
Jaudas izkliede 1W
Kanāla veids enhanced
Korpuss SOT23
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Transistora tips P-MOSFET
Valsts pretestība 290mΩ
Vārtu avota spriegums ±20V
Vārtu maksa 11.8nC
Atslēgvārdi: SQ2337ES-T1-GE3