Menu
Your Cart

SQ2308CES-T1_GE3; Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 2A; Idm: 9A; 2W; VISHAY; SQ2308CES-T1-GE3

SQ2308CES-T1_GE3; Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 2A; Idm: 9A; 2W; VISHAY; SQ2308CES-T1-GE3
SQ2308CES-T1_GE3; Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 2A; Idm: 9A; 2W; VISHAY; SQ2308CES-T1-GE3
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 24.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 1712

  • SKU: A896826
  • Zīmols: VISHAY
  • Modelis: SQ2308CES-T1_GE3
  • Svars: 0.03g
0,96€
Bez PVN: 0,80€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,62€
43 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,45€
100 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,44€
118 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,42€
500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,41€
1
Ražotājs VISHAY
Drenāžas avota spriegums 60V
Drenāžas strāva 2A
Iepakojuma veids reel, tape
Impulsa notekas strāva 9A
Jaudas izkliede 2W
Kanāla veids enhanced
Korpuss SOT23
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Tehnoloģija TrenchFET®
Transistora tips N-MOSFET
Valsts pretestība 0.325Ω
Vārtu maksa 3.5nC
Atslēgvārdi: SQ2308CES-T1-GE3