Menu
Your Cart

SQ2301ES-T1_GE3; Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23; VISHAY

SQ2301ES-T1_GE3; Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23; VISHAY
SQ2301ES-T1_GE3; Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23; VISHAY
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 24.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 2829

  • SKU: A497424
  • Zīmols: VISHAY
  • Modelis: SQ2301ES-T1_GE3
  • Svars: 0.01g
0,77€
Bez PVN: 0,63€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,64€
20 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,58€
25 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,56€
63 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,32€
172 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,30€
1000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,29€
3000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,29€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 3
1
Ražotājs VISHAY
Drenāžas avota spriegums -20V
Drenāžas strāva -2.2A
Iepakojuma veids tape
Jaudas izkliede 1W
Kanāla veids enhanced
Korpuss SOT23
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Transistora tips P-MOSFET
Valsts pretestība 120mΩ
Vārtu avota spriegums ±8V
Vārtu maksa 8nC
Atslēgvārdi: SQ2301ES-T1-GE3