Menu
Your Cart

SQ1470AEH-T1_GE3; Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.7A; Idm: 6.7A; VISHAY; SQ1470AEH-T1-GE3

SQ1470AEH-T1_GE3; Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.7A; Idm: 6.7A; VISHAY; SQ1470AEH-T1-GE3
SQ1470AEH-T1_GE3; Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.7A; Idm: 6.7A; VISHAY; SQ1470AEH-T1-GE3
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 21.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 2895

  • SKU: A122304
  • Zīmols: VISHAY
  • Modelis: SQ1470AEH-T1_GE3
  • Svars: 0.03g
0,83€
Bez PVN: 0,69€
5 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,72€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,65€
50 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,51€
62 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,32€
168 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,30€
1500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,29€
1
Ražotājs VISHAY
Drenāžas avota spriegums 30V
Drenāžas strāva 1.7A
Iepakojuma veids reel, tape
Impulsa notekas strāva 6.7A
Jaudas izkliede 3.3W
Kanāla veids enhanced
Korpuss SC70, SOT363
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Tehnoloģija TrenchFET®
Transistora tips N-MOSFET
Valsts pretestība 0.115Ω
Vārtu maksa 5.2nC
Atslēgvārdi: SQ1470AEH-T1-GE3