SQ1470AEH-T1_GE3; Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.7A; Idm: 6.7A; VISHAY; SQ1470AEH-T1-GE3
- Pieejamība: Pasūtīt uz 21.11.2025
- Piegādātāja noliktavā: 2895
- SKU: A122304
- Zīmols: VISHAY
- Modelis: SQ1470AEH-T1_GE3
- Svars: 0.03g
0,83€
Bez PVN: 0,69€
5 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,72€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,65€
50 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,51€
62 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,32€
168 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,30€
1500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,29€
| 1 | |
| Ražotājs | VISHAY |
| Drenāžas avota spriegums | 30V |
| Drenāžas strāva | 1.7A |
| Iepakojuma veids | reel, tape |
| Impulsa notekas strāva | 6.7A |
| Jaudas izkliede | 3.3W |
| Kanāla veids | enhanced |
| Korpuss | SC70, SOT363 |
| Montāža | SMD |
| Polarizācija | unipolar |
| Tehnoloģija | TrenchFET® |
| Transistora tips | N-MOSFET |
| Valsts pretestība | 0.115Ω |
| Vārtu maksa | 5.2nC |
Atslēgvārdi:
SQ1470AEH-T1-GE3