SI4403CDY-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A; VISHAY; SI4403CDY-T1-GE3
- Pieejamība: Pasūtīt uz 21.11.2025
- Piegādātāja noliktavā: 2097
- SKU: A122248
- Zīmols: VISHAY
- Modelis: SI4403CDY-T1-GE3
- Svars: 0.14g
1,01€
Bez PVN: 0,84€
3 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,82€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,76€
25 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,73€
30 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,65€
83 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,61€
500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,61€
1000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,59€
2500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,59€
| 1 | |
| Ražotājs | VISHAY |
| Drenāžas avota spriegums | -20V |
| Drenāžas strāva | -13.4A |
| Iepakojuma veids | reel, tape |
| Impulsa notekas strāva | -40A |
| Jaudas izkliede | 5W |
| Kanāla veids | enhanced |
| Korpuss | SO8 |
| Montāža | SMD |
| Polarizācija | unipolar |
| Tehnoloģija | TrenchFET® |
| Transistora tips | P-MOSFET |
| Valsts pretestība | 25mΩ |
| Vārtu maksa | 90nC |
Atslēgvārdi:
SI4403CDY-T1-GE3