Menu
Your Cart

SI4403CDY-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A; VISHAY; SI4403CDY-T1-GE3

SI4403CDY-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A; VISHAY; SI4403CDY-T1-GE3
SI4403CDY-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A; VISHAY; SI4403CDY-T1-GE3
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 21.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 2097

  • SKU: A122248
  • Zīmols: VISHAY
  • Modelis: SI4403CDY-T1-GE3
  • Svars: 0.14g
1,01€
Bez PVN: 0,84€
3 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,82€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,76€
25 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,73€
30 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,65€
83 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,61€
500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,61€
1000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,59€
2500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,59€
1
Ražotājs VISHAY
Drenāžas avota spriegums -20V
Drenāžas strāva -13.4A
Iepakojuma veids reel, tape
Impulsa notekas strāva -40A
Jaudas izkliede 5W
Kanāla veids enhanced
Korpuss SO8
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Tehnoloģija TrenchFET®
Transistora tips P-MOSFET
Valsts pretestība 25mΩ
Vārtu maksa 90nC
Atslēgvārdi: SI4403CDY-T1-GE3