Menu
Your Cart

SI4401FDY-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A; VISHAY; SI4401FDY-T1-GE3

SI4401FDY-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A; VISHAY; SI4401FDY-T1-GE3
SI4401FDY-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A; VISHAY; SI4401FDY-T1-GE3
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 21.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 2034

  • SKU: A999682
  • Zīmols: VISHAY
  • Modelis: SI4401FDY-T1-GE3
  • Svars: 0.15g
1,34€
Bez PVN: 1,11€
5 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,15€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,03€
30 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,65€
82 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,62€
1
Ražotājs VISHAY
Drenāžas avota spriegums -40V
Drenāžas strāva -11A
Iepakojuma veids reel, tape
Impulsa notekas strāva -80A
Jaudas izkliede 3.2W
Kanāla veids enhanced
Korpuss SO8
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Tehnoloģija TrenchFET®
Transistora tips P-MOSFET
Valsts pretestība 18.3mΩ
Vārtu maksa 31nC
Atslēgvārdi: SI4401FDY-T1-GE3