Menu
Your Cart

SI4178DY-T1-GE3; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8; VISHAY

SI4178DY-T1-GE3; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8; VISHAY
SI4178DY-T1-GE3; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8; VISHAY
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 25.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 2430

  • SKU: A485149
  • Zīmols: VISHAY
  • Modelis: SI4178DY-T1-GE3
  • Svars: 0.27g
0,49€
Bez PVN: 0,41€
20 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,45€
50 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,42€
52 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,37€
143 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,35€
500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,34€
1000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,34€
1
Ražotājs VISHAY
Drenāžas avota spriegums 30V
Drenāžas strāva 6.7A
Iepakojuma veids tape
Jaudas izkliede 5W
Kanāla veids enhanced
Korpuss SO8
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Transistora tips N-MOSFET
Valsts pretestība 33mΩ
Vārtu avota spriegums ±25V
Vārtu maksa 12nC
Atslēgvārdi: SI4178DY-T1-GE3