SI4178DY-T1-GE3; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8; VISHAY
- Pieejamība: Pasūtīt uz 25.11.2025
- Piegādātāja noliktavā: 2430
- SKU: A485149
- Zīmols: VISHAY
- Modelis: SI4178DY-T1-GE3
- Svars: 0.27g
0,49€
Bez PVN: 0,41€
20 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,45€
50 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,42€
52 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,37€
143 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,35€
500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,34€
1000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,34€
| 1 | |
| Ražotājs | VISHAY |
| Drenāžas avota spriegums | 30V |
| Drenāžas strāva | 6.7A |
| Iepakojuma veids | tape |
| Jaudas izkliede | 5W |
| Kanāla veids | enhanced |
| Korpuss | SO8 |
| Montāža | SMD |
| Polarizācija | unipolar |
| Transistora tips | N-MOSFET |
| Valsts pretestība | 33mΩ |
| Vārtu avota spriegums | ±25V |
| Vārtu maksa | 12nC |
Atslēgvārdi:
SI4178DY-T1-GE3