Menu
Your Cart

SI3473CDV-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A; VISHAY; SI3473CDV-T1-GE3

SI3473CDV-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A; VISHAY; SI3473CDV-T1-GE3
SI3473CDV-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A; VISHAY; SI3473CDV-T1-GE3
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 21.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 2940

  • SKU: A115020
  • Zīmols: VISHAY
  • Modelis: SI3473CDV-T1-GE3
  • Svars: 0.03g
1,16€
Bez PVN: 0,96€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,89€
50 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,39€
136 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,37€
1000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,37€
3000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,35€
1
Ražotājs VISHAY
Drenāžas avota spriegums -12V
Drenāžas strāva -8A
Iepakojuma veids reel, tape
Impulsa notekas strāva -20A
Jaudas izkliede 4.2W
Kanāla veids enhanced
Korpuss TSOP6
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Tehnoloģija TrenchFET®
Transistora tips P-MOSFET
Valsts pretestība 36mΩ
Vārtu maksa 65nC
Atslēgvārdi: SI3473CDV-T1-GE3