Menu
Your Cart

SI3460DDV-T1-GE3; Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A; VISHAY

SI3460DDV-T1-GE3; Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A; VISHAY
SI3460DDV-T1-GE3; Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A; VISHAY
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 25.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 3190

  • SKU: A485134
  • Zīmols: VISHAY
  • Modelis: SI3460DDV-T1-GE3
  • Svars: 0.10g
0,29€
Bez PVN: 0,24€
25 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,26€
100 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,19€
275 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,18€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 3000
1
Ražotājs VISHAY
Drenāžas avota spriegums 20V
Drenāžas strāva 7.9A
Iepakojuma veids tape
Impulsa notekas strāva 20A
Jaudas izkliede 1.7W
Kanāla veids enhanced
Korpuss TSOP6
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Tehnoloģija TrenchFET®
Transistora tips N-MOSFET
Valsts pretestība 28mΩ
Vārtu avota spriegums ±8V
Vārtu maksa 18nC
Atslēgvārdi: SI3460DDV-T1-GE3