SI3460DDV-T1-GE3; Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A; VISHAY
- Pieejamība: Pasūtīt uz 25.11.2025
- Piegādātāja noliktavā: 3190
- SKU: A485134
- Zīmols: VISHAY
- Modelis: SI3460DDV-T1-GE3
- Svars: 0.10g
0,29€
Bez PVN: 0,24€
25 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,26€
100 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,19€
275 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,18€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 3000
| 1 | |
| Ražotājs | VISHAY |
| Drenāžas avota spriegums | 20V |
| Drenāžas strāva | 7.9A |
| Iepakojuma veids | tape |
| Impulsa notekas strāva | 20A |
| Jaudas izkliede | 1.7W |
| Kanāla veids | enhanced |
| Korpuss | TSOP6 |
| Montāža | SMD |
| Polarizācija | unipolar |
| Tehnoloģija | TrenchFET® |
| Transistora tips | N-MOSFET |
| Valsts pretestība | 28mΩ |
| Vārtu avota spriegums | ±8V |
| Vārtu maksa | 18nC |
Atslēgvārdi:
SI3460DDV-T1-GE3