Menu
Your Cart

SI3459BDV-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -8A; VISHAY; SI3459BDV-T1-GE3

SI3459BDV-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -8A; VISHAY; SI3459BDV-T1-GE3
SI3459BDV-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -8A; VISHAY; SI3459BDV-T1-GE3
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 25.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 248

  • SKU: A115016
  • Zīmols: VISHAY
  • Modelis: SI3459BDV-T1-GE3
  • Svars: 0.02g
0,83€
Bez PVN: 0,69€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,77€
50 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,67€
54 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,36€
148 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,34€
6000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,33€
1
Ražotājs VISHAY
Drenāžas avota spriegums -60V
Drenāžas strāva -2.9A
Iepakojuma veids reel, tape
Impulsa notekas strāva -8A
Jaudas izkliede 3.3W
Kanāla veids enhanced
Korpuss TSOP6
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Tehnoloģija TrenchFET®
Transistora tips P-MOSFET
Valsts pretestība 288mΩ
Vārtu maksa 12nC
Atslēgvārdi: SI3459BDV-T1-GE3