SI3459BDV-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -8A; VISHAY; SI3459BDV-T1-GE3
- Pieejamība: Pasūtīt uz 25.11.2025
- Piegādātāja noliktavā: 248
- SKU: A115016
- Zīmols: VISHAY
- Modelis: SI3459BDV-T1-GE3
- Svars: 0.02g
0,83€
Bez PVN: 0,69€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,77€
50 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,67€
54 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,36€
148 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,34€
6000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,33€
| 1 | |
| Ražotājs | VISHAY |
| Drenāžas avota spriegums | -60V |
| Drenāžas strāva | -2.9A |
| Iepakojuma veids | reel, tape |
| Impulsa notekas strāva | -8A |
| Jaudas izkliede | 3.3W |
| Kanāla veids | enhanced |
| Korpuss | TSOP6 |
| Montāža | SMD |
| Polarizācija | unipolar |
| Tehnoloģija | TrenchFET® |
| Transistora tips | P-MOSFET |
| Valsts pretestība | 288mΩ |
| Vārtu maksa | 12nC |
Atslēgvārdi:
SI3459BDV-T1-GE3