SI3458BDV-T1-GE3; Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 10A; VISHAY
- Pieejamība: Pasūtīt uz 25.11.2025
- Piegādātāja noliktavā: 1439
- SKU: A485133
- Zīmols: VISHAY
- Modelis: SI3458BDV-T1-GE3
- Svars: 0.10g
1,21€
Bez PVN: 1,00€
5 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,72€
25 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,65€
40 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,47€
108 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,46€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 3000
| 1 | |
| Ražotājs | VISHAY |
| Drenāžas avota spriegums | 60V |
| Drenāžas strāva | 3.2A |
| Iepakojuma veids | tape |
| Impulsa notekas strāva | 10A |
| Jaudas izkliede | 2.1W |
| Kanāla veids | enhanced |
| Korpuss | TSOP6 |
| Montāža | SMD |
| Polarizācija | unipolar |
| Tehnoloģija | TrenchFET® |
| Transistora tips | N-MOSFET |
| Valsts pretestība | 100mΩ |
| Vārtu avota spriegums | ±20V |
| Vārtu maksa | 11nC |
Atslēgvārdi:
SI3458BDV-T1-GE3