Menu
Your Cart

SI3458BDV-T1-GE3; Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 10A; VISHAY

SI3458BDV-T1-GE3; Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 10A; VISHAY
SI3458BDV-T1-GE3; Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 10A; VISHAY
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 25.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 1439

  • SKU: A485133
  • Zīmols: VISHAY
  • Modelis: SI3458BDV-T1-GE3
  • Svars: 0.10g
1,21€
Bez PVN: 1,00€
5 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,72€
25 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,65€
40 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,47€
108 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,46€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 3000
1
Ražotājs VISHAY
Drenāžas avota spriegums 60V
Drenāžas strāva 3.2A
Iepakojuma veids tape
Impulsa notekas strāva 10A
Jaudas izkliede 2.1W
Kanāla veids enhanced
Korpuss TSOP6
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Tehnoloģija TrenchFET®
Transistora tips N-MOSFET
Valsts pretestība 100mΩ
Vārtu avota spriegums ±20V
Vārtu maksa 11nC
Atslēgvārdi: SI3458BDV-T1-GE3