Menu
Your Cart

SI3440DV-T1-GE3; Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 1.2A; Idm: 6A; VISHAY

SI3440DV-T1-GE3; Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 1.2A; Idm: 6A; VISHAY
SI3440DV-T1-GE3; Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 1.2A; Idm: 6A; VISHAY
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 24.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 2950

  • SKU: A485127
  • Zīmols: VISHAY
  • Modelis: SI3440DV-T1-GE3
  • Svars: 0.10g
0,00€
Bez PVN: 0,00€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 3000
1
Ražotājs VISHAY
Drenāžas avota spriegums 150V
Drenāžas strāva 1.2A
Iepakojuma veids tape
Impulsa notekas strāva 6A
Jaudas izkliede 0.59W
Kanāla veids enhanced
Korpuss TSOP6
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Tehnoloģija TrenchFET®
Transistora tips N-MOSFET
Valsts pretestība 375mΩ
Vārtu avota spriegums ±20V
Vārtu maksa 8nC
Atslēgvārdi: SI3440DV-T1-GE3