Menu
Your Cart

SI3421DV-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A; VISHAY

SI3421DV-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A; VISHAY
SI3421DV-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A; VISHAY
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 21.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 2807

  • SKU: A485124
  • Zīmols: VISHAY
  • Modelis: SI3421DV-T1-GE3
  • Svars: 0.10g
0,58€
Bez PVN: 0,48€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,44€
57 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,33€
157 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,31€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 3000
1
Ražotājs VISHAY
Drenāžas avota spriegums -30V
Drenāžas strāva -8A
Iepakojuma veids tape
Impulsa notekas strāva -50A
Jaudas izkliede 2.7W
Kanāla veids enhanced
Korpuss TSOP6
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Tehnoloģija TrenchFET®
Transistora tips P-MOSFET
Valsts pretestība 19.2mΩ
Vārtu avota spriegums ±20V
Vārtu maksa 69nC
Atslēgvārdi: SI3421DV-T1-GE3