SI3421DV-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A; VISHAY
- Pieejamība: Pasūtīt uz 21.11.2025
- Piegādātāja noliktavā: 2807
- SKU: A485124
- Zīmols: VISHAY
- Modelis: SI3421DV-T1-GE3
- Svars: 0.10g
0,58€
Bez PVN: 0,48€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,44€
57 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,33€
157 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,31€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 3000
| 1 | |
| Ražotājs | VISHAY |
| Drenāžas avota spriegums | -30V |
| Drenāžas strāva | -8A |
| Iepakojuma veids | tape |
| Impulsa notekas strāva | -50A |
| Jaudas izkliede | 2.7W |
| Kanāla veids | enhanced |
| Korpuss | TSOP6 |
| Montāža | SMD |
| Polarizācija | unipolar |
| Tehnoloģija | TrenchFET® |
| Transistora tips | P-MOSFET |
| Valsts pretestība | 19.2mΩ |
| Vārtu avota spriegums | ±20V |
| Vārtu maksa | 69nC |
Atslēgvārdi:
SI3421DV-T1-GE3