Menu
Your Cart

SI2392ADS-T1-GE3; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23; VISHAY

SI2392ADS-T1-GE3; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23; VISHAY
SI2392ADS-T1-GE3; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23; VISHAY
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 24.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 3000

  • SKU: A485118
  • Zīmols: VISHAY
  • Modelis: SI2392ADS-T1-GE3
  • Svars: 0.10g
0,00€
Bez PVN: 0,00€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 3000
1
Ražotājs VISHAY
Drenāžas avota spriegums 100V
Drenāžas strāva 3.1A
Iepakojuma veids tape
Impulsa notekas strāva 8A
Jaudas izkliede 1.6W
Kanāla veids enhanced
Korpuss SOT23
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Transistora tips N-MOSFET
Valsts pretestība 126mΩ
Vārtu avota spriegums ±20V
Vārtu maksa 10.4nC
Atslēgvārdi: SI2392ADS-T1-GE3