Menu
Your Cart

BTA212B-800E,118; Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 95A; 3Q,Hi-Com; WeEn Semiconductors; BTA212B-800E.118

BTA212B-800E,118; Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 95A; 3Q,Hi-Com; WeEn Semiconductors; BTA212B-800E.118
BTA212B-800E,118; Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 95A; 3Q,Hi-Com; WeEn Semiconductors; BTA212B-800E.118
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 07.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 589

  • SKU: A892856
  • Zīmols: WeEn Semiconductors
  • Modelis: BTA212B-800E,118
  • Svars: 1.75g
1,94€
Bez PVN: 1,61€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,48€
26 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,76€
70 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,72€
9600 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,69€
1
Ražotājs WeEn Semiconductors
Type of thyristor triac
Iepakojuma veids reel, tape
Korpuss D2PAK
Maks. impulsa strāva uz priekšu 95A
Maks. izslēgts spriegums 0.8kV
Maks. slodzes strāva 12A
Montāža SMD
Pusvadītāju ierīču iezīmes sensitive gate
Tehnoloģija 3Q, Hi-Com
Vārtu strāva 10mA
Atslēgvārdi: BTA212B-800E.118