Menu
Your Cart

IXTP76P10T; Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; 70ns; IXYS

IXTP76P10T; Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; 70ns; IXYS
IXTP76P10T; Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; 70ns; IXYS
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 11.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 313

  • SKU: A376472
  • Zīmols: IXYS
  • Modelis: IXTP76P10T
  • Svars: 2.03g
8,72€
Bez PVN: 7,21€
4 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 5,73€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 5,41€
50 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 5,21€
1
Ražotājs IXYS
Drenāžas avota spriegums -100V
Drenāžas strāva -76A
Iepakojuma veids tube
Jaudas izkliede 298W
Kanāla veids enhanced
Korpuss TO220AB
Montāža THT
Polarizācija unipolar
Reversais atkopšanas laiks 70ns
Tehnoloģija TrenchP™
Transistora tips P-MOSFET
Valsts pretestība 25mΩ
Vārtu avota spriegums ±15V
Vārtu maksa 197nC
Atslēgvārdi: IXTP76P10T