Menu
Your Cart

IXTH76P10T; Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; 70ns; IXYS

IXTH76P10T; Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; 70ns; IXYS
IXTH76P10T; Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; 70ns; IXYS
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 11.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 291

  • SKU: A376293
  • Zīmols: IXYS
  • Modelis: IXTH76P10T
  • Svars: 6.25g
9,08€
Bez PVN: 7,51€
3 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 8,04€
7 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 7,60€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 7,56€
30 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 7,30€
1
Ražotājs IXYS
Drenāžas avota spriegums -100V
Drenāžas strāva -76A
Iepakojuma veids tube
Jaudas izkliede 298W
Kanāla veids enhanced
Korpuss TO247-3
Montāža THT
Polarizācija unipolar
Reversais atkopšanas laiks 70ns
Tehnoloģija TrenchP™
Transistora tips P-MOSFET
Valsts pretestība 25mΩ
Vārtu avota spriegums ±15V
Vārtu maksa 197nC
Atslēgvārdi: IXTH76P10T