Menu
Your Cart

DMP10H4D2S-7; Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.21A; 0.38W; SOT23; DIODES INCORPORATED

DMP10H4D2S-7; Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.21A; 0.38W; SOT23; DIODES INCORPORATED
DMP10H4D2S-7; Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.21A; 0.38W; SOT23; DIODES INCORPORATED
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 12.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 2885

  • SKU: A317327
  • Zīmols: DIODES INCORPORATED
  • Modelis: DMP10H4D2S-7
  • Svars: 0.02g
0,29€
Bez PVN: 0,24€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,21€
50 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,18€
100 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,14€
178 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,11€
491 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,10€
3000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,10€
6000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,10€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 5
1
Ražotājs DIODES INCORPORATED
Drenāžas avota spriegums -100V
Drenāžas strāva -0.21A
Iepakojuma veids tape
Jaudas izkliede 0.38W
Kanāla veids enhanced
Korpuss SOT23
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Pusvadītāju ierīču iezīmes ESD protected gate
Transistora tips P-MOSFET
Valsts pretestība
Vārtu avota spriegums ±20V
Atslēgvārdi: DMP10H4D2S-7