Menu
Your Cart

SQ2389ES-T1_GE3; Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23; VISHAY

SQ2389ES-T1_GE3; Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23; VISHAY
SQ2389ES-T1_GE3; Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23; VISHAY
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 24.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 1943

  • SKU: A497437
  • Zīmols: VISHAY
  • Modelis: SQ2389ES-T1_GE3
  • Svars: 0.10g
0,00€
Bez PVN: 0,00€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 3000
1
Ražotājs VISHAY
Drenāžas avota spriegums -40V
Drenāžas strāva -4.1A
Iepakojuma veids tape
Impulsa notekas strāva -16A
Jaudas izkliede 1W
Kanāla veids enhanced
Korpuss SOT23
Montāža SMD
Pieteikums automotive industry
Polarizācija unipolar
Transistora tips P-MOSFET
Valsts pretestība 169mΩ
Vārtu avota spriegums ±20V
Vārtu maksa 12nC
Atslēgvārdi: SQ2389ES-T1-GE3