Menu
Your Cart

SI4925DDY-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8; VISHAY

SI4925DDY-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8; VISHAY
SI4925DDY-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8; VISHAY
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 11.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 279

  • SKU: A485206
  • Zīmols: VISHAY
  • Modelis: SI4925DDY-T1-GE3
  • Svars: 0.16g
1,85€
Bez PVN: 1,53€
5 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,15€
33 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,61€
89 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,58€
2500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,56€
5000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,56€
1
Ražotājs VISHAY
Drenāžas avota spriegums -30V
Drenāžas strāva -5.9A
Iepakojuma veids tape
Jaudas izkliede 5W
Kanāla veids enhanced
Korpuss SO8
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Transistora tips P-MOSFET x2
Valsts pretestība 41mΩ
Vārtu avota spriegums ±20V
Vārtu maksa 50nC
Atslēgvārdi: SI4925DDY-T1-GE3