SI4532CDY-T1-GE3; Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.9/-3.4A; SO8; VISHAY
- Pieejamība: Pasūtīt uz 11.11.2025
- Piegādātāja noliktavā: 2320
- SKU: A485183
- Zīmols: VISHAY
- Modelis: SI4532CDY-T1-GE3
- Svars: 1.00g
1,36€
Bez PVN: 1,12€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,97€
50 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,66€
51 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,38€
139 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,36€
2500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,35€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 2500
| 1 | |
| Ražotājs | VISHAY |
| Drenāžas avota spriegums | 30V |
| Drenāžas strāva | 4.9/-3.4A |
| Iepakojuma veids | tape |
| Jaudas izkliede | 1.78W |
| Kanāla veids | enhanced |
| Korpuss | SO8 |
| Montāža | SMD |
| Polarizācija | unipolar |
| Tehnoloģija | TrenchFET® |
| Transistora tips | N/P-MOSFET |
| Valsts pretestība | 47/89mΩ |
| Vārtu avota spriegums | ±20V |
| Vārtu maksa | 9/12nC |
Atslēgvārdi:
SI4532CDY-T1-GE3