Menu
Your Cart

SI4532CDY-T1-GE3; Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.9/-3.4A; SO8; VISHAY

SI4532CDY-T1-GE3; Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.9/-3.4A; SO8; VISHAY
SI4532CDY-T1-GE3; Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.9/-3.4A; SO8; VISHAY
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 11.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 2320

  • SKU: A485183
  • Zīmols: VISHAY
  • Modelis: SI4532CDY-T1-GE3
  • Svars: 1.00g
1,36€
Bez PVN: 1,12€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,97€
50 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,66€
51 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,38€
139 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,36€
2500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,35€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 2500
1
Ražotājs VISHAY
Drenāžas avota spriegums 30V
Drenāžas strāva 4.9/-3.4A
Iepakojuma veids tape
Jaudas izkliede 1.78W
Kanāla veids enhanced
Korpuss SO8
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Tehnoloģija TrenchFET®
Transistora tips N/P-MOSFET
Valsts pretestība 47/89mΩ
Vārtu avota spriegums ±20V
Vārtu maksa 9/12nC
Atslēgvārdi: SI4532CDY-T1-GE3