Menu
Your Cart

SI4431CDY-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8; VISHAY

SI4431CDY-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8; VISHAY
SI4431CDY-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8; VISHAY
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 25.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 2424

  • SKU: A485163
  • Zīmols: VISHAY
  • Modelis: SI4431CDY-T1-GE3
  • Svars: 0.12g
1,16€
Bez PVN: 0,96€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,98€
20 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,90€
40 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,50€
108 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,47€
2500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,46€
1
Ražotājs VISHAY
Drenāžas avota spriegums -30V
Drenāžas strāva -7.2A
Impulsa notekas strāva -30A
Jaudas izkliede 2.7W
Kanāla veids enhanced
Korpuss SO8
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Transistora tips P-MOSFET
Valsts pretestība 32mΩ
Vārtu avota spriegums ±20V
Vārtu maksa 38nC
Atslēgvārdi: SI4431CDY-T1-GE3