Menu
Your Cart

SI3407DV-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.7W; TSOP6; VISHAY

SI3407DV-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.7W; TSOP6; VISHAY
SI3407DV-T1-GE3; Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.7W; TSOP6; VISHAY
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 24.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 2631

  • SKU: A485122
  • Zīmols: VISHAY
  • Modelis: SI3407DV-T1-GE3
  • Svars: 0.10g
0,54€
Bez PVN: 0,45€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,42€
25 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,39€
50 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,36€
100 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,35€
1
Ražotājs VISHAY
Drenāžas avota spriegums -20V
Drenāžas strāva -8A
Iepakojuma veids tape
Jaudas izkliede 2.7W
Kanāla veids enhanced
Korpuss TSOP6
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Transistora tips P-MOSFET
Valsts pretestība 24mΩ
Vārtu avota spriegums ±12V
Vārtu maksa 21nC
Atslēgvārdi: SI3407DV-T1-GE3