Menu
Your Cart

DMN63D8LDW-7; Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.3W; DIODES INCORPORATED

DMN63D8LDW-7; Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.3W; DIODES INCORPORATED
DMN63D8LDW-7; Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.3W; DIODES INCORPORATED
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 07.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 104

  • SKU: A317309
  • Zīmols: DIODES INCORPORATED
  • Modelis: DMN63D8LDW-7
  • Svars: 0.10g
0,34€
Bez PVN: 0,28€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,21€
25 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,17€
50 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,14€
100 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,12€
283 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,07€
778 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,07€
1500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,07€
3000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,06€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 5
1
Ražotājs DIODES INCORPORATED
Drenāžas avota spriegums 30V
Drenāžas strāva 0.17A
Impulsa notekas strāva 0.8A
Jaudas izkliede 0.3W
Kanāla veids enhanced
Korpuss SOT363
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Pusvadītāju ierīču iezīmes ESD protected gate
Transistora tips N-MOSFET x2
Valsts pretestība 2.8Ω
Vārtu avota spriegums ±20V
Atslēgvārdi: DMN63D8LDW-7