DMN63D8LDW-7; Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.3W; DIODES INCORPORATED
- Pieejamība: Pasūtīt uz 07.11.2025
- Piegādātāja noliktavā: 104
- SKU: A317309
- Zīmols: DIODES INCORPORATED
- Modelis: DMN63D8LDW-7
- Svars: 0.10g
0,34€
Bez PVN: 0,28€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,21€
25 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,17€
50 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,14€
100 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,12€
283 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,07€
778 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,07€
1500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,07€
3000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,06€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 5
| 1 | |
| Ražotājs | DIODES INCORPORATED |
| Drenāžas avota spriegums | 30V |
| Drenāžas strāva | 0.17A |
| Impulsa notekas strāva | 0.8A |
| Jaudas izkliede | 0.3W |
| Kanāla veids | enhanced |
| Korpuss | SOT363 |
| Montāža | SMD |
| Polarizācija | unipolar |
| Pusvadītāju ierīču iezīmes | ESD protected gate |
| Transistora tips | N-MOSFET x2 |
| Valsts pretestība | 2.8Ω |
| Vārtu avota spriegums | ±20V |
Atslēgvārdi:
DMN63D8LDW-7