Menu
Your Cart

DMN3190LDW-7; Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W; DIODES INCORPORATED

DMN3190LDW-7; Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W; DIODES INCORPORATED
DMN3190LDW-7; Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W; DIODES INCORPORATED
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 10.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 413

  • SKU: A317276
  • Zīmols: DIODES INCORPORATED
  • Modelis: DMN3190LDW-7
  • Svars: 0.10g
0,59€
Bez PVN: 0,49€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,26€
50 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,19€
100 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,16€
188 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,10€
188 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,10€
517 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,10€
517 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,10€
6000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,09€
6000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,09€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 5
1
Ražotājs DIODES INCORPORATED
Drenāžas avota spriegums 30V
Drenāžas strāva 0.9A
Impulsa notekas strāva 9.6A
Jaudas izkliede 0.32W
Kanāla veids enhanced
Korpuss SOT363
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Pusvadītāju ierīču iezīmes ESD protected gate
Transistora tips N-MOSFET x2
Valsts pretestība 0.19Ω
Vārtu avota spriegums ±20V
Atslēgvārdi: DMN3190LDW-7