DMN3190LDW-7; Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W; DIODES INCORPORATED
- Pieejamība: Pasūtīt uz 10.11.2025
- Piegādātāja noliktavā: 413
- SKU: A317276
- Zīmols: DIODES INCORPORATED
- Modelis: DMN3190LDW-7
- Svars: 0.10g
0,59€
Bez PVN: 0,49€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,26€
50 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,19€
100 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,16€
188 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,10€
188 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,10€
517 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,10€
517 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,10€
6000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,09€
6000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,09€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 5
| 1 | |
| Ražotājs | DIODES INCORPORATED |
| Drenāžas avota spriegums | 30V |
| Drenāžas strāva | 0.9A |
| Impulsa notekas strāva | 9.6A |
| Jaudas izkliede | 0.32W |
| Kanāla veids | enhanced |
| Korpuss | SOT363 |
| Montāža | SMD |
| Polarizācija | unipolar |
| Pusvadītāju ierīču iezīmes | ESD protected gate |
| Transistora tips | N-MOSFET x2 |
| Valsts pretestība | 0.19Ω |
| Vārtu avota spriegums | ±20V |
Atslēgvārdi:
DMN3190LDW-7