NCP81080DR2G; IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; SO8; ONSEMI; NCP81080DR2G
- Pieejamība: Pasūtīt uz 10.11.2025
- Piegādātāja noliktavā: 767
- SKU: A796677
- Zīmols: ONSEMI
- Modelis: NCP81080DR2G
- Svars: 0.12g
1,52€
Bez PVN: 1,26€
5 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,36€
16 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,24€
25 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,21€
43 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,18€
100 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,11€
| 1 | |
| Impulse rise time | 19ns |
| Pulse fall time | 17ns |
| Ražotājs | ONSEMI |
| Barošanas spriegums | 5.5...20V DC |
| Darbības temperatūra | -40...140°C |
| Integrētās shēmas tips | driver |
| Integrētās shēmas veids | gate driver, high-side |
| Izejas strāva | -800...500mA |
| Korpuss | SO8 |
| Montāža | SMD |
| Topoloģija | MOSFET half-bridge |
Atslēgvārdi:
NCP81080DR2G