Menu
Your Cart

NTE4151PT1G; Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89; ON SEMICONDUCTOR

NTE4151PT1G; Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89; ON SEMICONDUCTOR
NTE4151PT1G; Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89; ON SEMICONDUCTOR
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 07.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 5640

  • SKU: A433169
  • Zīmols: ON SEMICONDUCTOR
  • Modelis: NTE4151PT1G
  • Svars: 0.10g
0,15€
Bez PVN: 0,12€
5 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,12€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,11€
50 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,09€
100 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,09€
250 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,08€
614 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,03€
1687 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,03€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 5
1
Ražotājs ON SEMICONDUCTOR
Drenāžas avota spriegums -20V
Drenāžas strāva -0.76A
Iepakojuma veids tape
Jaudas izkliede 313mW
Kanāla veids enhanced
Korpuss SC89
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Transistora tips P-MOSFET
Valsts pretestība
Vārtu avota spriegums ±6V
Vārtu maksa 2.1nC
Atslēgvārdi: NTE4151PT1G