NTE4151PT1G; Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89; ON SEMICONDUCTOR
- Pieejamība: Pasūtīt uz 07.11.2025
- Piegādātāja noliktavā: 5640
- SKU: A433169
- Zīmols: ON SEMICONDUCTOR
- Modelis: NTE4151PT1G
- Svars: 0.10g
0,15€
Bez PVN: 0,12€
5 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,12€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,11€
50 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,09€
100 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,09€
250 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,08€
614 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,03€
1687 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,03€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 5
| 1 | |
| Ražotājs | ON SEMICONDUCTOR |
| Drenāžas avota spriegums | -20V |
| Drenāžas strāva | -0.76A |
| Iepakojuma veids | tape |
| Jaudas izkliede | 313mW |
| Kanāla veids | enhanced |
| Korpuss | SC89 |
| Montāža | SMD |
| Polarizācija | unipolar |
| Transistora tips | P-MOSFET |
| Valsts pretestība | 1Ω |
| Vārtu avota spriegums | ±6V |
| Vārtu maksa | 2.1nC |
Atslēgvārdi:
NTE4151PT1G