Menu
Your Cart

MGSF2N02ELT1G; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; 1.25W; SOT23-3; ON SEMICONDUCTOR

MGSF2N02ELT1G; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; 1.25W; SOT23-3; ON SEMICONDUCTOR
MGSF2N02ELT1G; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; 1.25W; SOT23-3; ON SEMICONDUCTOR
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 13.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 1980

  • SKU: A412022
  • Zīmols: ON SEMICONDUCTOR
  • Modelis: MGSF2N02ELT1G
  • Svars: 0.10g
0,64€
Bez PVN: 0,53€
5 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,52€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,45€
50 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,30€
86 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,23€
200 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,22€
235 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,22€
500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,21€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 3
1
Ražotājs ON SEMICONDUCTOR
Drenāžas avota spriegums 20V
Drenāžas strāva 2.8A
Iepakojuma veids tape
Jaudas izkliede 1.25W
Kanāla veids enhanced
Korpuss SOT23-3
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Transistora tips N-MOSFET
Valsts pretestība 85mΩ
Vārtu avota spriegums ±8V
Vārtu maksa 3.5nC
Atslēgvārdi: MGSF2N02ELT1G