MGSF2N02ELT1G; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; 1.25W; SOT23-3; ON SEMICONDUCTOR
- Pieejamība: Pasūtīt uz 13.11.2025
- Piegādātāja noliktavā: 1980
- SKU: A412022
- Zīmols: ON SEMICONDUCTOR
- Modelis: MGSF2N02ELT1G
- Svars: 0.10g
0,64€
Bez PVN: 0,53€
5 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,52€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,45€
50 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,30€
86 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,23€
200 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,22€
235 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,22€
500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,21€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 3
| 1 | |
| Ražotājs | ON SEMICONDUCTOR |
| Drenāžas avota spriegums | 20V |
| Drenāžas strāva | 2.8A |
| Iepakojuma veids | tape |
| Jaudas izkliede | 1.25W |
| Kanāla veids | enhanced |
| Korpuss | SOT23-3 |
| Montāža | SMD |
| Polarizācija | unipolar |
| Transistora tips | N-MOSFET |
| Valsts pretestība | 85mΩ |
| Vārtu avota spriegums | ±8V |
| Vārtu maksa | 3.5nC |
Atslēgvārdi:
MGSF2N02ELT1G