Menu
Your Cart

BVSS123LT1G; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23; ON SEMICONDUCTOR

BVSS123LT1G; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23; ON SEMICONDUCTOR
BVSS123LT1G; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23; ON SEMICONDUCTOR
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 10.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 1865

  • SKU: A286128
  • Zīmols: ON SEMICONDUCTOR
  • Modelis: BVSS123LT1G
  • Svars: 0.10g
0,30€
Bez PVN: 0,25€
5 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,30€
25 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,16€
100 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,14€
160 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,12€
435 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,12€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 5
1
Ražotājs ON SEMICONDUCTOR
Drenāžas avota spriegums 100V
Drenāžas strāva 0.17A
Jaudas izkliede 0.225W
Kanāla veids enhanced
Korpuss SOT23
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Transistora tips N-MOSFET
Valsts pretestība
Vārtu avota spriegums ±20V
Atslēgvārdi: BVSS123LT1G