BVSS123LT1G; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23; ON SEMICONDUCTOR
- Pieejamība: Pasūtīt uz 10.11.2025
- Piegādātāja noliktavā: 1865
- SKU: A286128
- Zīmols: ON SEMICONDUCTOR
- Modelis: BVSS123LT1G
- Svars: 0.10g
0,30€
Bez PVN: 0,25€
5 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,30€
25 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,16€
100 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,14€
160 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,12€
435 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,12€
Šim produktam minimālais pasūtīšanas daudzums ir 5
| 1 | |
| Ražotājs | ON SEMICONDUCTOR |
| Drenāžas avota spriegums | 100V |
| Drenāžas strāva | 0.17A |
| Jaudas izkliede | 0.225W |
| Kanāla veids | enhanced |
| Korpuss | SOT23 |
| Montāža | SMD |
| Polarizācija | unipolar |
| Transistora tips | N-MOSFET |
| Valsts pretestība | 6Ω |
| Vārtu avota spriegums | ±20V |
Atslēgvārdi:
BVSS123LT1G