Menu
Your Cart

FDB28N30TM; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK; ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)

FDB28N30TM; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK; ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
FDB28N30TM; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK; ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 11.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 485

  • SKU: A338107
  • Zīmols: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
  • Modelis: FDB28N30TM
  • Svars: 2.00g
2,96€
Bez PVN: 2,44€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 2,16€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 2,16€
11 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,91€
11 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,91€
29 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,81€
29 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,81€
200 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,73€
200 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,73€
1
Ražotājs ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Drenāžas avota spriegums 300V
Drenāžas strāva 28A
Iepakojuma veids tape
Jaudas izkliede 250W
Kanāla veids enhanced
Korpuss D2PAK
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Tehnoloģija UniFET™
Transistora tips N-MOSFET
Valsts pretestība 129mΩ
Vārtu avota spriegums ±30V
Vārtu maksa 50nC
Atslēgvārdi: FDB28N30TM