Menu
Your Cart

IXBH10N170; Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3; IXYS

IXBH10N170; Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3; IXYS
IXBH10N170; Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3; IXYS
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 07.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 25

  • SKU: A375153
  • Zīmols: IXYS
  • Modelis: IXBH10N170
  • Svars: 6.13g
14,65€
Bez PVN: 12,11€
2 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 12,27€
5 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 11,60€
1
Ražotājs IXYS
Iepakojuma veids tube
Ieslēgšanās laiks 63ns
Impulsa kolektora strāva 40A
Izslēgšanas laiks 1.8µs
Jaudas izkliede 140W
Kolektora strāva 10A
Kolektora-izstarotāja spriegums 1.7kV
Korpuss TO247-3
Montāža THT
Pusvadītāju ierīču iezīmes high voltage
Tehnoloģija BiMOSFET™
Transistora tips IGBT
Vārtu maksa 30nC
Vārtu-izstarotāju spriegums ±20V
Atslēgvārdi: IXBH10N170