Menu
Your Cart

IPD80R1K4P7ATMA1; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; INFINEON TECHNOLOGIES

IPD80R1K4P7ATMA1; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R1K4P7ATMA1; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; INFINEON TECHNOLOGIES
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 10.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 2448

  • SKU: A371781
  • Zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
  • Modelis: IPD80R1K4P7ATMA1
  • Svars: 0.42g
1,21€
Bez PVN: 1,00€
5 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,04€
25 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,87€
27 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,72€
74 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,68€
2500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,67€
1
Ražotājs INFINEON TECHNOLOGIES
Drenāžas avota spriegums 800V
Drenāžas strāva 2.7A
Jaudas izkliede 32W
Kanāla veids enhanced
Korpuss PG-TO252-3
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Pusvadītāju ierīču iezīmes ESD protected gate
Tehnoloģija CoolMOS™
Transistora tips N-MOSFET
Valsts pretestība 1.4Ω
Vārtu avota spriegums ±20V
Atslēgvārdi: IPD80R1K4P7