Menu
Your Cart

IPD12CN10NGATMA1; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3; INFINEON TECHNOLOGIES

IPD12CN10NGATMA1; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3; INFINEON TECHNOLOGIES
IPD12CN10NGATMA1; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3; INFINEON TECHNOLOGIES
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 10.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 1817

  • SKU: A371691
  • Zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
  • Modelis: IPD12CN10NGATMA1
  • Svars: 0.50g
2,60€
Bez PVN: 2,15€
2 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 2,43€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,94€
14 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,47€
37 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,39€
100 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,36€
1
Ražotājs INFINEON TECHNOLOGIES
Drenāžas avota spriegums 100V
Drenāžas strāva 67A
Jaudas izkliede 125W
Kanāla veids enhanced
Korpuss PG-TO252-3
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Tehnoloģija OptiMOS™ 2
Transistora tips N-MOSFET
Valsts pretestība 12.4mΩ
Vārtu avota spriegums ±20V
Atslēgvārdi: IPD12CN10NGATMA1