Menu
Your Cart

IPN80R1K4P7ATMA1; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; INFINEON TECHNOLOGIES

IPN80R1K4P7ATMA1; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; INFINEON TECHNOLOGIES
IPN80R1K4P7ATMA1; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; INFINEON TECHNOLOGIES
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 11.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 2825

  • SKU: A371915
  • Zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
  • Modelis: IPN80R1K4P7ATMA1
  • Svars: 0.12g
1,42€
Bez PVN: 1,17€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,07€
34 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,58€
91 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,55€
500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,55€
1000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,53€
1
Ražotājs INFINEON TECHNOLOGIES
Drenāžas avota spriegums 800V
Drenāžas strāva 2.7A
Iepakojuma veids reel
Jaudas izkliede 7W
Kanāla veids enhanced
Korpuss PG-SOT223
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Pusvadītāju ierīču iezīmes ESD protected gate
Tehnoloģija CoolMOS™ P7
Transistora tips N-MOSFET
Valsts pretestība 1.4Ω
Vārtu avota spriegums ±20V
Vārtu maksa 10nC
Atslēgvārdi: IPN80R1K4P7