Menu
Your Cart

IPI086N10N3GXKSA1; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO262-3; INFINEON TECHNOLOGIES

IPI086N10N3GXKSA1; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO262-3; INFINEON TECHNOLOGIES
IPI086N10N3GXKSA1; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO262-3; INFINEON TECHNOLOGIES
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 11.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 138

  • SKU: A371825
  • Zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
  • Modelis: IPI086N10N3GXKSA1
  • Svars: 1.53g
2,84€
Bez PVN: 2,35€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,54€
18 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,09€
49 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,03€
1000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,00€
1
Ražotājs INFINEON TECHNOLOGIES
Drenāžas avota spriegums 100V
Drenāžas strāva 80A
Jaudas izkliede 125W
Kanāla veids enhanced
Korpuss PG-TO262-3
Montāža THT
Polarizācija unipolar
Tehnoloģija OptiMOS™ 3
Transistora tips N-MOSFET
Valsts pretestība 8.6mΩ
Vārtu avota spriegums ±20V
Atslēgvārdi: IPI086N10N3GXKSA1