IPD082N10N3GATMA1; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3; INFINEON TECHNOLOGIES
- Pieejamība: Pasūtīt uz 11.11.2025
- Piegādātāja noliktavā: 2471
- SKU: A371687
- Zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
- Modelis: IPD082N10N3GATMA1
- Svars: 0.37g
1,73€
Bez PVN: 1,43€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,36€
19 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,06€
50 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,00€
1000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,98€
2500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,96€
| 1 | |
| Ražotājs | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Drenāžas avota spriegums | 100V |
| Drenāžas strāva | 80A |
| Jaudas izkliede | 125W |
| Kanāla veids | enhanced |
| Korpuss | PG-TO252-3 |
| Montāža | SMD |
| Polarizācija | unipolar |
| Tehnoloģija | OptiMOS™ 3 |
| Transistora tips | N-MOSFET |
| Valsts pretestība | 8.2mΩ |
| Vārtu avota spriegums | ±20V |
Atslēgvārdi:
IPD082N10N3GATMA1