Menu
Your Cart

IPD082N10N3GATMA1; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3; INFINEON TECHNOLOGIES

IPD082N10N3GATMA1; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3; INFINEON TECHNOLOGIES
IPD082N10N3GATMA1; Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3; INFINEON TECHNOLOGIES
  • Pieejamība: Pasūtīt uz 11.11.2025
  • Piegādātāja noliktavā: 2471

  • SKU: A371687
  • Zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
  • Modelis: IPD082N10N3GATMA1
  • Svars: 0.37g
1,73€
Bez PVN: 1,43€
10 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,36€
19 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,06€
50 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 1,00€
1000 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,98€
2500 gab. un vairāk - par vienību ar PVN: 0,96€
1
Ražotājs INFINEON TECHNOLOGIES
Drenāžas avota spriegums 100V
Drenāžas strāva 80A
Jaudas izkliede 125W
Kanāla veids enhanced
Korpuss PG-TO252-3
Montāža SMD
Polarizācija unipolar
Tehnoloģija OptiMOS™ 3
Transistora tips N-MOSFET
Valsts pretestība 8.2mΩ
Vārtu avota spriegums ±20V
Atslēgvārdi: IPD082N10N3GATMA1